| 型号： | MJD112T4G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MJD112T4G PDF |  |
| 产品目录绘图 | Transistor DPAK |
| 标准包装 | 10 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 3V @ 40mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 1000 @ 2A，3V |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 频率 - 转换 | 25MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1561 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MJD112T4GOSCT |